بررسي تاثير تعداد اتم هاي كربن موجود در عرض نوار نانومتري گرافني بر جريان ترانزيستور تك الكتروني گرافني

ترانزيستور تك‌الكتروني يك قطعه الكترونيكي در ابعاد نانومتر است كه شامل سه الكترود فلزي و يك جزيره يا نقطه كوانتومي مي‌باشد. جزيره مي‌تواند از نانومواد كربني مانند نوار نانومتري گرافني انتخاب شود. تعداد اتم‌هاي كربن موجود در نوار نانومتري گرافني بر سرعت عملكرد ترانزيستور و ناحيه انسداد كولني تأثير مي‌گذارد. در اين تحقيق، جريان ترانزيستور تك‌الكتروني با جزيره‌اي از نوار نانومتري گرافني مدل‌سازي شده است. تأثير عواملي از جمله تعداد اتم‌هاي كربن موجود در عرض نوار نانومتري گرافني، طول نوار نانومتري گرافني و ولتاژ اعمالي بر گيت روي جريان ترانزيستور بررسي شده است. نتايج مدل‌سازي نشان مي‌دهد كه با افزايش تعداد اتم‌ها در عرض نوار نانومتري گرافني، ناحيه انسداد كولني در نمودارهاي پايداري بار ترانزيستور كاهش مي‌يابد. همچنين كاهش طول نوار نانومتري گرافني و افزايش ولتاژ اعمالي بر گيت باعث كاهش ناحيه جريان صفر ترانزيستور مي‌شود. افزايش تعداد اتم‌ها در عرض سه جزيره باعث افزايش ناحيه تونل‌زني تك‌الكترون و بهبود عملكرد ترانزيستور مي‌شود.