بررسي استفاده از يك ساختار وارونگر كسكود شده به عنوان تقويت كننده بوستر در يك ساختار كسكود تنظيم شده با تكنولوژي 90 نانومتري CMOS در يك گيرنده مخابراتي نوري كم توان براي نرخ داده 10 گيگابيت بر ثانيه

در اين مقاله يك ساختار تقويت كننده امپدانس انتقالي بر پايه ساختارهاي RGC با پهناي باند بالا و توان تلفاتي كم براي كار در يك سيستم گيرنده مخابرات نوري، ارائه شده است. در اين ساختار، با اضافه كردن ساختار كسكود به يك وارونگر، و بهره بردن از آن به عنوان طبقه تقويت كننده RGC به عنوان يك شبكه فيدبك تمام فعال، خازن غالب ورودي ساختار گيرنده را ايزوله كرديم، و بدين صورت توانستيم با مصرف توان كمتري، به پهناي باند 6.4 گيگاهرتز دست يابيم. همچنين، در اين ساختار از يك سلف به صورت فعال استفاده شده است تا با ايجاد رزونانس با خازن بار، پهناي باند مدار را افزايش دهد. بهره گيري از شكل فعال سلف به جاي شكل پسيو آن، كاهش مساحت اشغالي بر روي تراشه را به همراه دارد. بدين صورت به دو روش ايزوله كردن خازن غالب ورودي و كاهش اثر خازن بار، توانستيم بدون نياز به تزريق جريان بالا به مدار، پهناي باند آن را افزايش دهيم. نتايج شبيه سازي عملكرد مناسب مدار در نرخ بيت 10 گيگابيت بر ثانيه را به خوبي نشان مي دهند. اين مدار، تنها 1.6 ميلي وات توان مصرف مي كند كه پهناي باندي برابر با 6.4 گيگاهرتز و بهره اي برابر با 40 دسي بل اهم را به ارمغان مي آورد.