مدل سازي جامع خازن فلز-اكسيد-نيم رسانا مد تخليه اي براي شبيه سازي مداري

مدل جامعي براي يك خازن فلز-اكسيد-نيم رسانا (MOS)، كه به صورت يك MOSFET n كانال نوع تخليه اي در يك فن آوري CMOS زير ميكروني پياده سازي شده است، ارائه مي شود. اين مدل وابستگي ظرفيت خازني به ولتاژ گيت را روي تمام گستره ولتاژ هاي عملياتي منظور مي كند و برازش آن به داده هاي اندازه گيري شده ظرفيت خازني بر حسب ولتاژ گيت با ضريب همبستگي 0.99 مشخص مي شود. با در نظر گرفتن خازن گيت و مقاومت سري مربوط به آن به صورت يك شبه RC گسترده يك مدل زير مداري واقع گرايانه براي خازن MOS به دست مي آيد كه امكان مدل سازي دقيق آثار پرفركانس و ضريب كيفيت خازن را فراهم مي كند. كارآيي مدل زير مداري خازن MOS با استفاده از شبيه سازي اسپايس تاييد شد و براي بهبود دقت شبيه سازي روشي براي مدل سازي مقاومت كانال به صورت يك مقاومت كنترل شونده با ولتاژ ارائه شد.