شماره ركورد :
1235355
عنوان مقاله :
آسيب كروموزومي ناشي از راديونوكلئيدهاي گسيلنده الكترون‌هاي اوژه با استفاده از مدل ZBB1 در كد GEANT4
عنوان به زبان ديگر :
Calculation of damages of Auger electron emitting from radionuclides based on 1ZBB model: a simulation study using the Geant4 toolkit
پديد آورندگان :
احمدي، پروين دانشگاه پيام نور، تهران، ايران - گروه فيزيك , شمسايي زفرقندي، مجتبي دانشگاه اميركبير، تهران، ايران - دانشكده مهندسي انرژي و فيزيك , شكري، علي اصغر دانشگاه پيام نور، تهران، ايران - گروه فيزيك
تعداد صفحه :
10
از صفحه :
1
از صفحه (ادامه) :
0
تا صفحه :
10
تا صفحه(ادامه) :
0
كليدواژه :
الكترون اوژه , شبيه سازي , شكست دورشته اي , شكست تك رشته اي , Geant4-DNA
چكيده فارسي :
وقتي پرتوهاي يونيزان وارد سلول زنده مي‌شوند، با ماده سلولي تعامل مي‌كنند و درنتيجه مقداري از انرژي خود را به آن منتقل مي‌كنند. در اين مطالعه، انتشار الكترون‌هاي اوژه و اثرات آن‌ها به‌عنوان آسيب به DNA به‌وسيله برخي از راديونوكلئيدها مانند 99mTc، 111In، 125I و 123I با استفاده از ابزار Geant4-DNA با مدل 1ZBB مورد بررسي قرار گرفت. مدل 1ZBB از كتابخانه بانك اطلاعات پروتئين انتخاب شده است. تعداد شكست‌هاي دورشته‌اي به‌عنوان تابعي از انرژي نشان داده شد. در اين مطالعه نشان داده شده است كه بيش‌ترين آسيب‌ها توسط الكترون‌هاي اوژه با انرژي‌هاي كم‌تر از يك كيلوالكترون‌ولت و مربوط به لايه M و Nمي‌باشد.
چكيده لاتين :
When an ionizing beam enters a living cell, it interacts with the cellular material, thereby transferring some of its energy to it. In this study, the propagation of Auger electrons and their effects as DNA damage by some radionuclides, were analyzed using the Geant4-DNA Toolkit with the 1ZBB model. The 1ZBB model is selected from the protein data bank library which simulates the location of atoms in the sequence of cellular chromosomes. The average number of DSBs is shown as a function of energy. In this study, it is shown that the most damage is caused by Auger electrons with energies of less than 1 keV which corresponds to Auger electrons in layers M, N.
سال انتشار :
1399
عنوان نشريه :
سنجش و ايمني پرتو
فايل PDF :
8452190
لينک به اين مدرک :
بازگشت