تقويت‌كننده كم‌نويز فراپهن باند با استفاده از تكنيك معكوس‌كننده با پيك‌زني القايي

در اين مقاله، يك تقويت‌كننده‌ كم‌نويز در باند فركانسي فراپهن GHz‌ 3/110/6 با استفاده از تكنولوژي CMOS 130 nm طراحي شده است. در اين مدار از تكنيك‌ سورس تبهگني براي گسترش پهناي ‌باند و ايجاد تطبيق ورودي و از تكنيك استفاده مجدد جريان براي دستيابي به بهره بالا استفاده مي‌شود. همچنين از آنجا كه اغلب تكنيك‌هاي تطبيق امپدانس خروجي موجب تضعيف بهره يا خط‌ساني مي‌شود، از تكنيك معكوس‌كننده با پيك‌زني القايي استفاده شده است تا علاوه‌بر فراهم نمودن تطبيق امپدانس 50 اهمي در خروجي، بهره و خط‌ساني را نيز بهبود دهد. اين تكنيك رفتار هارمونيك سوم را بهبود و بهره را dB 2/7 افزايش داده است. مدار پيشنهادي داراي S11 كمتر از S22، dB ‌1/9 كمتر از dB ‌10، ماكزيمم بهره‌‌dB 19/6، عدد نويز بين 7/dB 22، توان مصرفي mw 28 و IIP3 با مقدار dBm 3/5 مي‌باشد. همچنين ابعاد جانشاني طرح برابر µm 701/4 × µm 991/84 است. مزاياي ساختار پيشنهادي در مقايسه با ساختارهاي فراپهن با تكنولوژي يكسان، در بهره بالاتر، عدد نويز كمتر و تطبيق بهتر خروجي مي‌باشد.