عنوان مقاله :
طراحي تقويت كننده يك طبقه توان بالا و فركانس بالا در كلاس F با دو ترانزيستور موازيGaN براي كاربردهاي 2.5GHz
عنوان به زبان ديگر :
Design of One Stage Class F High Power and High Frequency Power Amplifier with Two Parallel GaN Transistor for 2.5GHz Application
پديد آورندگان :
ذبيحي، باقر موسسه آموزش عالي سراج، تبريز، ايران , عليپرست، پيمان پژوهشگاه هوافضا، تهران، ايران , نصيرزاده، ناصر موسسه آموزش عالي سراج، تبريز، ايران
كليدواژه :
تقويت‌كننده توان بالا فركانس بالا , مدارهاي مجتمع مايكروويو يكپارچه , پروسه گاليم نيترايد
چكيده فارسي :
در اين مقاله يك تقويت‌كننده توان فركانس بالا در كلاس F مبتني بر تكنولوژي مدار مجتمع مايكروويو يكپارچه(MMIC)طراحي شده است. براي اين طرح از پروسه گاليم نيترات با قابليت تحرك الكترون بالا با فناوري طول گيت 150 نانومتر استفاده شده است. فركانس مركزي تقويت‌كننده 2/5 گيگا هرتز است. بيشترين گين توان تقويت‌كننده مورد نظر تقريبا برابر با dB12/76 است و در يك طبقه طراحي شده است. در فركانس مورد نظر بيشترين توان خروجي تقويت كننده توان حدود dBm39/196 در توان ورودي dBm30 است. در بيشترين توان خروجي ، PAE حدود 41/25% است كه بيشترين مقدار خود را دارد. مساحت نهايي مدار براي جاسازي بر روي تراشه 25/903 ميليمتر در19/346 ميليمتر است. بيشترين مقدارAM/PM و AM/AM به ترتيب برابر dB/deg2/38 و dB/dB1/66 است. براي تقويت‌كننده اعوجاج تداخلي هارمونيك سوم (IMD3) حدود dBc-20 در فركانس مركزي است. براي طراحي اين تقويت‌كننده از تحليل Loadpull نرم افزار ADS براي بدست آوردن توان خروجي مناسب استفاده شده است.
چكيده لاتين :
In this article, high frequency power amplifier is designed based on monolithic microwave integrated circuit (MMIC) technology. For this design the process of GaN transistors with high electron mobility has been used and its length gate technology is 150nm central frequency of the amplifier is 2.5GHz. the maximum gain of the amplifier is approximately equal to 12.76dB and is designed in one stage. At this frequency, the maximum output power of the amplifier is about 39.196 dBm in 30dBm input. In the maximum output power, PAE is about 41.25% that this is maximum amount of PAE .The final area of the circuit for embedding on the chip is 25.903mm by 19.346mm.the maximum values of AM/PM and AM/AM are 2.38deg/db and 1.66dB/dB respectively. For the 3-rd intermodulation distortion (IMD3) is about -20 dBc at the center of frequency. To design this amplifier, Loadpull analysis of ADS software was used to obtain the appropriate output power.
عنوان نشريه :
مهندسي مخابرات جنوب
