طراحي و ساخت تقويت‌كننده توان 8 وات با بهره و بازدهي بالا در باند X با استفاده از ترانزيسوتور‌هاي GaN-HEMT به صورت Die براي كاربرد در ارتباطات ماهواره‌اي

در اين مقاله، طراحي و ساخت تقويت‌كننده مدار مجتمع تركيبي مايكروويو (HMIC[i]) با توان بيش از 8 وات و بهره سيگنال بزرگ بيش از dB 50 در بازه فركانسي GHz 11.2تا10.95 براي كاربرد در ارتباطات ماهواره‌اي ارائه مي‌شود. به منظور دست‌يابي به بازدهي بالا در اين تقويت‌كننده، دو طبقه انتهايي تقويت‌كننده با استفاده از ترانزيستور‌هاي GaNHEMT، به صورت ماژول‌هاي جداگانه با طراحي سفارشي ساخته شده‌اند. به منظور بررسي تكرارپذيري، 16 ماژول 8 وات ساخته و تست شده‌اند؛ كه تمامي آن‌ها، توان خروجي 8 وات و بازدهي بيش از 55 درصد را فراهم نمودند. به منظور دست‌يابي به بهره بيش از dB 50 ، از IC‌هاي آماده به عنوان طبقات بهره استفاده شده است. در نهايت، عملكرد تقويت‌كننده ساخته شده با استفاده از سيگنال مدوله شده QAM با نرخ MSym/s 10 مورد ارزيابي قرار گرفته و توان متوسط 6 وات با بازدهي بيش از 33% در فركانس GHz 11 به دست آمده است.