محاسبۀساختار الكتروني و نوارهاي انرژيInP در حالت نانو سيم وانبوهه به روش شبه پتانسيل

در اين مقاله ويژگي ‌هاي الكتروني و ساختاري از جمله ثابت هاي شبكه، ساختار نوارهاي انرژي و چگالي حالت‌هاي در حالت انبوهه و نانوسيم محاسبه و مورد بررسي قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسيل در چارچوب نظريۀ تابعي چگالي (DFT) و با استفاده از نرم افزار كوانتوم اسپرسو با تقريب هاي چگالي موضعي (LDA) و تقريب گراديان تعميم يافته (GGA) صورت گرفته است. نتايج به دست آمده نشان مي دهد كه نوارهاي انرژي سطح فرمي را قطع نكرده و داراي يك شكاف انرژي به اندازۀ 1.4 الكترون ولت در نقطه Γ در منطقه بريلوين مي‌ باشد كه سازگاري خوبي با نتايج تجربي دارد. همچنين شكاف نواري در حالت نانوسيم ‌ها حدود 1.49 الكترون ولت به دست آمد كه نسبت به شكاف نواري در حالت انبوهه افزايش يافته است. در نهايت، پارامترهاي محاسبه شده سازگاري خوبي با ديگر نتايج دارد.