بررسي ابتدا به ساكن اثر خنثي كردن سطح بر ويژگي‌هاي الكتروني و اپتيكي سطح (001) پادپروسكايت SbNSr3

در اين مقاله ويژگي‌هاي الكتروني و اپتيكي تركيب SbNSr3 در حالت سطح در راستاي [001] بلور و اثر خنثي كردن سطح بر ويژگي‌هاي الكتروني و اپتيكي آن براي دو پايانۀ SbSr و NSr2 مورد بحث و بررسي قرار گرفت. محاسبات بر پايۀ نظريۀ تابعي چگالي و روش شبه پتانسيل با امواج تخت انجام شد. جهت محاسبات پتانسيل تبادلي همبستگي از تابعي هيبريدي HSE استفاده شد. محاسبات سطح با در نظرگرفتن ابرسلول‌هاي تتراگونال، شرايط مرزي دوره‌اي، ميزان خلأ كافي و كمينه نيروهاي وارد بر اتم‌ها انجام گرفت. نتايج محاسبات الكتروني نشان داد در سطح منفعل نشده برخلاف ماهيت نيم‌رسانايي حالت انبوهۀ تركيب، حالت‌هاي الكتروني در مجاورت سطح فرمي مشاهده مي‌شود. پيوندهاي فعال سطح با جذب اتم‌هاي هيدروژن بر روي سطح اشباع و حالت‌هاي الكتروني در نزديكي سطح فرمي حذف شدند كه به باز شدن گاف نواري در هر دو پايانه منجر شد. گاف نواري محاسبه شده براي پايانه‌هاي SbSr و NSr2 به ترتيب 0.808 و 1.029 الكترون ولت به دست آمد. ويژگي‌هاي اپتيكي سطح SbNSr3 در دو حالت خنثي نشده و خنثي شده مورد بررسي قرار گرفت. نتايج نشان داد در هر دو پايانه، خنث كردن سطح كه باعث از بين رفتن حالت‌هاي الكتروني سطح مي‌شود، به افزايش گاف اپتيكي منجر مي شود. گاف اپتيكي محاسبه شده در هر دو حالت سطح خنثي نشده و خنثي شده براي نور فرودي عمود بر سطح (z) بزرگ‌تر از راستاي موازي با سطح (x‌) به دست آمد. در توافق با نتايج الكتروني گاف اپتيكي پايانۀ SbSr كم‌تر از پايانۀ NSr2 محاسبه شد. هم‌چنين مشاهده شد با خنثي كردن سطح ثابت دي‌الكتريك استاتيك در هر دو پايانه كاهش مي‌يابد و در راستاي z‌‌ ثابت كم‌تر از راستاي ‌x‌ است.