بررسي مشخصه‌هاي الكتريكي و تحليل حساسيت در نانو ترانزيستور دو گيتي با سورس و درين فلزي و مادۀ كانال InAs به روش تابع گرين غير تعادلي

در اين مقاله، مشخصه‌هاي الكتريكي ترانزيستور دو دروازه‌اي با منبع و درين فلزي و مادۀ كانال InAs در ابعاد نانو به روش تابع گرين غير تعادلي مورد مطالعه و بررسي قرار گرفته است. از آنجا كه كاهش ضخامت كانال موجب تغيير سطح انرژي زير نوارها و در نتيجه افزايش شكاف انرژي مي‌شود، هاميلتوني دو بعدي افزاره محاسبه و به كمك آن ساختار نواري افزاره با دقت يك لايۀ اتمي به روش تنگ بست با پايه sp3d5s*  به دست آمده است. سپس به ازاي ضخامت ‌هاي مختلف، كانال جرم مؤثر حامل‌ ها از ساختار نواري مربوطه در سه جهت محاسبه شده است. براساس نتايج به دست آمده، با كاهش ضخامت كانال جرم مؤثر نسبت به حالت توده اي افزايش مي يابد. در ادامه، جريان افزاره به كمك تابع گرين غير تعادلي محاسبه شده است. همچنين به كمك تحليل آماري، حساسيت پارامترهاي مهم الكتريكي نسبت به متغيرهاي مهم ساختاري و فيزيكي به دست آمده است. با كاهش ضخامت كانال و افزايش ارتفاع مؤثر سد شاتكي در ولتاژ درين كوچك و دماي پايين، يك سد پتانسيل در داخل كانال و در امتداد مسير حركت حامل‌ ها از سورس به درين برقرار مي ‌شود، كه اين امر موجب تونل زني تشديد و ايجاد ناحيۀ مقاومت منفي در مشخصۀ الكتريكي افزاره مي‌ شود. اثر متغيرهاي مهم بر تونل زني تشديد در اين افزاره به طور كامل مورد بررسي قرار گرفته است.