مطالعه رفتار الكتريكي گرافن/ عايق سيليكون نيتريد (SiN) با اتصالات فتوليتوگرافي شده

گرافن، ماده اي دوبعدي از اتم هاي كربن در يك شبكه ي لانه زنبوري است كه در ساخت قطعات نانو و ميكروالكترونيك كاربرد دارد. در اين پژوهش، گرافن ورقه اي و گسترده به ترتيب از طريق روش هاي لايه برداري ميكرومكانيكي و انباشت بخار شيميايي توليد شده اند. اتصالات الكتريكي از جنس كروم با روش الگودهي فتوليتوگرافي مستقيم و كاهنده، بر روي بستر عايق سيليكون نيتريد ايجاد شده اند. سپس، هر دو نوع گرافن به طور جداگانه بر روي اين اتصالات انتقال يافته اند. مشخصه يابي سطحي با ميكروسكوپ هاي نوري و نيروي اتمي و طيف سنجي رامان در شناسايي تعداد لايه ها، گستردگي، پيوستگي لايه ها و خلوص سطح موثر بوده است. همچنين مشخصه يابي جريان ولتاژ با پروب چهار نقطه اي پويا و مشخصه يابي مقاومت با پروب چهار نقطه اي ايستا، انجام شده است. اثر نوع الگوها، ابعاد اتصالات، خلوص و تعداد لايه ها در رفتار الكتريكي گرافن مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج به دست آمده نشان مي دهد گرافن ت ك لايه در سنجش جريان ولتاژ، رفتاري خطي و گرافن چندلايه رفتاري غير خطي دارد