كاربرد ممريستور به عنوان سيناپس در سلول هاي عصبي Integrate and fire و هاجكين هاكسلي

مقاومت حافظه‌دار يا ممريستور Memristor كه امروزه به عنوان چهارمين عنصر مدارهاي الكتريكي شناخته مي شود، عنصري دو پايه است كه عملكردي شبيه مقاومت دارد و در ابعاد نانو ساخته مي شود. بر طبق منحني هيسترزيس آن مي توان ثابت نمود كه مقدار اين مقاومت در طول زمان ثابت باقي مي ماند و مقدار اين مقاومت به مقدار، پلاريته و زمان ولتاژ اعمال بستگي دارد. منحني هيسترزيس جريان–ولتاژ در ممريستور باعث مي شود تا اين عنصر بتواند به عنوان يك حافظه مقاومتي غير فرار عمل كرده و اطلاعات را تا زماني كه ولتاژي با مقدار و پلاريته متفاوتي به آن اعمال شود حتي تا يك سال بعد به ياد آورد. ممريستور مي تواند جايگزين بسياري از ترانزيستورها در بعضي از مدارات شده و جاي كمتري اشغال كند. در اين مقاله از يك پل ممريستوري متشكل از چهار ممريستور به عنوان يك سيناپس براي اتصال دو سلول عصبي Integrate and fire و هاجكين هاكسلي استفاده شده است. استفاده از سيناپس پل ممريستور در معماري پيشنهادي يكي از مشكلات عمده مربوط به ذخيره وزن غيرفرار در شبكه عصبي آنالوگ را حل مي كند. با تغيير مقدارهاي مختلف هر ممريستور وزن سيناپسي تغيير و قابل برنامه ريزي خواهد بود و مشخصه ولتاژ و جريان اين سيناپس ممريستوري و تغييرات وزن آن روي رفتار سلول هاي عصبي Integrate and fire و هاجكين هاكسلي بررسي خواهد شد.