سنتز تك لايه نانومتريWS2 با روش رسوب بخار شيميايي

تك لايه تنگستن دي سولفيد (WS2) به دليل دارا بودن شكاف نوار مستقيم و شدت نوردهي بالا، نويد بخش بسيار خوبي براي استفاده در دستگاه‌هاي نوري مي‌باشد. در اين پژوهش، تك لايه WS‮2 را در شرايط دمايي كنترل شده سنتز و فيلم‌هاي توليد شده را با استفاده از طيف سنجي مادون قرمز (FT‌IR)، رامان، اشعه ايكس (XRD) و تصاوير ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM) مشخصه‌يابي كرديم. نتايج نشان مي‌دهد كه ورود گاز آرگون به عنوان حامل، باعث بهبود كيفيت لايه شده و سطح رشد WS2 را افزايش مي‌دهد و در نتيجه فيلم‌ها ضخامت پوششي متوسط 43 نانومتري را نشان مي‌دهند. با كنترل دمايي رشد و ورود به موقع گاز حامل آرگون به طور موثرتري پيش ساز WO3 كاهش يافته و از اكسيداسيون تك لايه‌هاي سنتز شده محافظت مي‌شود. نتايج بدست آمده حاكي از سنتز كامل ساختار دو بعدي تك لايه با صفحات متشكل از اندازه كريستالي حدود 26 نانومتر با ضخامت در حدود 43 نانومتر مي‌باشد.