بررسي عددي از طريق روش شبكه بولتزمن براي تحليل مقدار آنتروپي توليدشده ناشي از انتقال حرارت جابجايي مزدوج نانو سيال غيرنيوتني تحت اثر ميدان مغناطيسي

هدف از اين تحليل عددي با استفاده از روش شبكه بولتزمن (LBM)، بررسي اين مطلب است كه با چه راهكارهاي در دسترسي مي‌توان مقدار انتقال حرارت و آنتروپي توليدشده را كنترل كرد. به اين منظور، انتقال حرارت جابجايي تركيبي نانوسيال غيرنيوتني تحت اثر ميدان مغناطيسي درون محفظه مربعي حاوي ديواره رسانا مورد تحليل قرارگرفته است. اگرچه ميدان مغناطيسي و سرعت حركت ديواره عمودي محفظه ثابت در نظر گرفته‌شده‌اند، نتايج نشان داد كه با تغيير موقعيت اعمال اين پارامترها مشخصات جريان و ويژگي‌هاي انتقال حرارت به وجود آمده به‌شدت تحت تأثير قرار مي‌گيرند. چنانچه ميدان مغناطيسي ازنظر مكاني همانند با موقعيت اعمال سرعت اعمال شود، اثر افزايش عدد هارتمن در كاهش عدد ناسلت متوسط مشهودتر مي‌شود. براي داشتن بيشترين مقدار عدد ناسلت، بايد حركت يك سوم بالايي ديواره موردتوجه باشد ولي بااين‌حال بيشترين تأثيرپذيري جريان سيال از ميدان مغناطيسي به ازاي حركت يك سوم مياني ديواره مشاهده شد. با افزايش فاصله ديواره رسانا از ديواره متحرك، عدد ناسلت متوسط تا 1.5 برابر بيشتر مي‌شود. با كاهش نسبت هدايت حرارتي از ۱۰ به 0.5 به‌طور ميانگين عدد ناسلت تا حدود 55 درصد كاهش مي‌يابد. اگرچه قدرت جريان و عدد ناسلت رابطه معكوس با شاخص تواني دارد ولي با كسر حجمي نانو ذرات رابطه مستقيم دارد. مقدار آنتروپي توليدشده، رابطه مستقيم/معكوس با عدد ريچاردسون/شاخص تواني سيال دارد.