تقويت تپ‌هاي ليزر فمتوثانيه Ti:sapphire توسط تقويت‌كننده بازتوليدي آرايش-Z

در اين پژوهش تقويت باريكه ليزر تپي فمتوثانيه Ti:sapphire در تقويت كننده بازتوليدي با آرايش هندسي Z براساس روش تقويت تپ چيرپ بررسي شده است. براي انتقال تپ ورودي اوليه به داخل كاواك تقويت كننده و استخراج تپ تقويت شده از دو سلول پاكل استفاده شده است. زمان شكل‌گيري تپ تقويت شده برحسب انرژي ليزر دمش مطالعه و روند تحول تپ در داخل كاواك تقويت كننده مورد بررسي قرار گرفته است. مدت زمان تپ توليد شده در داخل كاواك بدون حضور تپ ورودي اوليه 80 نانوثانيه و فرايند شكل‌گيري تپ تقويت شده 38 نانوثانيه است. باريكه ليزر تپي فمتوثانيه تقويت شده با نرخ تكرار 10 هرتز در طول موج مركزي 800 نانومتر با بيشينه انرژي 2 ميلي‌ژول بعد از 17 رفت و برگشت در داخل كاواك تقويت كننده بازتوليدي با استفاده از انرژي دمش 15 ميلي ژول در طول موج 532 نانومتر توليد شده است. طول موج باريكه ليزر تقويت شده 800 نانومتر با پهناي بينابي 30 نانومتر است كه نسبت به باريكه ليزر تشديدگر 30 نانومتر باريك‌تر شده است. كارايي تقويت نسبت به انرژي دمش برابر 13 درصد و ضريب تقويت در اين آرايش برابر با 10^6 به‌دست آمده است.