شماره ركورد
1370443
عنوان مقاله
تأثير تلفيق ميدان مغناطيسي و پاشش الكتريكي بر جهتگيري نانو لولههاي كربني در ذرات جاذب كامپوزيتي هسته-پوسته آلژينات و جذب متيلنبلو
پديد آورندگان
مويدفرد ، ياسين دانشگاه سيستان و بلوچستان - دانشكده مهندسي شهيد نيكبخت , صميمي ، عبدالرضا دانشگاه سيستان و بلوچستان - دانشكده مهندسي شهيد نيكبخت، مركز نوآوري فناوري غشايي (ICMT) 2- مركز نوآوري فناوري غشايي (ICMT) , خسروي ، حامد دانشگاه سيستان و بلوچستان - دانشكده مهندسي شهيد نيكبخت , بيگمرادي ، راضيه دانشگاه سيستان و بلوچستان - مركز نوآوري فناوري غشايي (ICMT)
از صفحه
17
تا صفحه
32
كليدواژه
آلژينات , نانولولههاي كربني , متيلنبلو , جهتگيري نانولولههاي كربني , جذب سطحي
چكيده فارسي
در تحقيق حاضر، اثرات ميدان مغناطيسي و پاشش الكتريكي بر جهتگيري نانولولههايكربني پايدارشده با عامل سطحي كربوكسيل در زمينه جاذب آلژينات-نانولولههايكربني و هچنين بر جذب متيلنبلو مورد بررسي قرار گرفت. ويژگيهاي جاذب و عملكرد آنها با استفاده از ميكروسكوپ الكتروني روبشي نشر ميداني و طيفسنج مرئي- فرابنفش بررسي شدند. تصاوير ميكروسكوپي نشان داد كه به واسطه دو ساعت قرارگرفتن كلوئيد آلژينات-نانولولههاي كربني در ميدان مغناطيسي، با متوسط قدرت 318 ميليتسلا، نانولولهها بهطور قابل توجهي در زمينه پليمري جهتگيري پيدا كردند. اين در حالي است كه پاشش قطرات كلوئيدي تحت ميدان الكتريكي تأثير ناچيزي در همراستاسازي آنها داشته و اساساً منجر به ريزسازي قطرات و افزايش نسبت سطح به حجم ذرات شده است. با تلفيق ميدانهاي مغناطيسي و الكتريكي در حضور نانولولهها، به ميزان 92/2 درصد جذب متيلنبلو، در مقايسه با حالت صرفا پاشش الكتريكي (71 درصد) و صرفاً پاشش الكتريكي بدون حضور نانولولهها (59 درصد) بهدست آمد. اين تحقيق نشان داد كه جهتگيري نانولولههاي كربني تحت ميدانهاي مغناطيسي و الكتريكي در افزايش راندمان جذب آلايندههاي زيست محيطي مؤثر بوده و ميتواند منجر به توليد جاذبهاي اقتصاديتر شود.
عنوان نشريه
مواد پيشرفته در مهندسي
عنوان نشريه
مواد پيشرفته در مهندسي
لينک به اين مدرک