تأثير افزودن جزئي عنصر سيليسيم بر رفتار الكترومغناطيسي كامپوزيت‌هاي زمينه سراميكي TiC/Ti3AlC2

در پژوهش حاضر تأثير افزودن جزئي سيليسيم بر رفتار ساختاري و الكترومغناطيس كامپوزيت‌هاي زمينه سراميكي TiC/Ti3AlC2 مورد بررسي قرار گرفته است. در اين راستا، براي سنتز كامپوزيت مورد نظر از فرايند آسياب‌‌كاري و عمليات آنيل بهره گرفته شد. بررسي‌هاي ساختاري و فازي توسط ميكروسكوپ الكتروني روبشي، آناليز حرارتي افتراقي و دستگاه پراش‌سنج پرتو ايكس و بررسي رفتار الكترومغناطيسي توسط دستگاه تحليگر شبكه‌اي صورت گرفت. نتايج نشان داد كه امكان سنتز ساختار كامپوزيتي TiC/Ti3AlC2 با افزودن جزئي سيليسيم به‌صورت درجا وجود دارد. سيستم 2TiC-Al-Ti-0.2Si بهترين رفتار جذب امواج الكترومغناطيسي با تلفات انعكاس حدود 30/10- دسي‌بل در فركانس تطبيق 15/1 گيگاهرتز را نشان داد. پس از عمليات آنيل در دماي 1400 درجه سانتي‌گراد، مشخص شد ساختار كامپوزيتي TiC/Ti3AlC2 حاصل از فرايند آسياب‌كاري پايدار است ولي رفتار جذب الكترومغناطيسي تحت تأثير قرار مي‌گيرد. بدين‌گونه كه كم‌ترين اتلاف بازتاب تركيبات آنيل‌شده حدود 1- دسي‌بل بود.