خواص ساختاري و الكتروني تك لايه SiC2 در حضور گاز استالدهيد: امكان سنجي كاربرد به عنوان حسگر گاز

در مقاله پيش رو، به بررسي تاثير جذب مولكول استالدهيد بر خواص ساختاري و الكتروني تك لايه SiC2 با استفاده از نظريه تابعي چگالي پرداخته شده است. به اين منظور، پيكربندي هاي مختلف جذب مولكول بر روي تك لايه مورد بررسي قرار گرفته و پايدارترين ساختار براساس انرژي جذب گزارش شده است. نتايج نشان داد كه مولكول استالدهيد به صورت فيزيكي با انرژي در حدود 0.310eV الكترون ولت بررويSiC2 جذب مي شود. مقايسه ساختار نواري و چگالي حالاتSiC2 قبل و بعد از جذب مولكول استالدهيد نشان داد كه گاف انرژي و فاصله تراز فرمي تا نوار هدايت پس از جذب استالدهيد به ترتيب 0.008ev و 0.006eV الكترون ولت افزايش مي يابد كه مي تواند موجب كاهش هدايت الكتريكي تك لايه گردد. بر اساس محاسبات انجام شده از تك لايهSiC2 مي توان به عنوان حسگر گاز استالدهيد براساس تغيير هدايت، تغيير گرماي واكنش يا به عنوان سطح جاذب در حسگرهاي گاز پيزوالكتريك بهره برد.