عنوان مقاله :
باز توزيع ناخالصي آرسينك )AS( در رشد اكسيد سيليسيم
عنوان به زبان ديگر :
Redistribution of implanted Arsenic (AS) on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si
پديد آورندگان :
علي گل، داودآقا نويسنده , , علي باقي زاده ف داريوش فتحي، مترجم ,
اطلاعات موجودي :
فصلنامه سال 1384
كليدواژه :
اكسيداسيون گرمايي , كشت يوني , فيزيك , thermal oxidation , Ion implantation , impurity redistribution , باز توزيع ناخالصي , رشد گرمايي , روش پراكندگي برگشتي راترفورد , Ruhterford backscattering spectroscopy
چكيده لاتين :
In this article, we investigate the redistribution of implanted As+ ion and effect of it on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si wafers at 900°C. Our results show that a highly enriched, thin layer of Arsenic forms at the interface between the oxide and the underlying Si. Also, the oxidation rate was found to increase depending on the depth distribution and dose of the implanted impurity As. The thin As layer collected at the interface can be used in the design of shallow junctions. Rutherford Backscattering Spectroscopy(RBS) was used to investigate the oxide characteristics.
عنوان نشريه :
پژوهش فيزيك ايران
عنوان نشريه :
پژوهش فيزيك ايران
اطلاعات موجودي :
فصلنامه با شماره پیاپی سال 1384
كلمات كليدي :
#تست#آزمون###امتحان
