محاسبه خواص ساختاري و الكتروني نيمرساناي منيزيم سلنيد(MgSe) با استفاده از امواج تخت تقويت شده خطي با پتانسيل كامل( FP-LAPW)

Calculation of electronic and structure properties of the semi-conductor MgSe by using the FP-LAPW method

در اين مقاله خواص ساختاري و الكتروني از جمله ثابت شبكه، مدول حجمي، تراكم پذيري، بهينه سازي حجم، ساختار نوارهاي انرژي و نيز چگالي حالت ها و چگالي ابر الكتروني نيمرساناي منيزيم سلنيد (MgSe) در فاز مكعبي براي ساختار B 1 مورد بررسي قرار مي گيرند. محاسبات با استفاده از امواج تخت تقويت شده خطي با پتانسيل كامل، (FP-LAPW)، در چارچوب نظريه تابعي چگالي (DFT) و با استفاده از نرم افزار WIEN2k صورت گرفته است. نتايج به دست آمده يك گاف نواري مستقيم حدود eV 4/2 در نقطه را نشان مي دهد. همچنين يك ويژگي يوني را براي اين تركيب نشان مي دهد، كه از ويژگي هاي تركيب هاي II-IVاست و با نتايج تجربي و نظري به دست آمده از روش هاي ديگران سازگاري خوبي دارد.

: In this paper, electronic structure, energy band structure and electronic density in cubic phase for semi-conductor MgSe are studied using WIEN2k package. This employs the Full Potential-Linearized augmented Plane Wave (FP-LAPW) method in the framework of Density Functional Theory (DFT) with generalize different approximations. The results showed a band gap of 2.4 eV at T point in the Birrouin zone. The calculated band structure and electronic structure of MgSe agree with the previous experimental and theoretical reports, as do the charge distribution indicated that the bond the Mg and Se is ionic with the one of the properties MgSe.