ارايه يك مدار BiCMOS جديد براي راندن بارهاي خازني بزرگ

ارايه يك مدار BiCMOS جديد براي راندن بارهاي خازني بزرگ

از آنجا كه درتكنولوژي BiCMOS براي راندن بارهاي خازني بزرگ تنها در زمان هايي بسيار كوتاه نياز به جريان كلكتور و بالطبع جريان بيس است، در اين نوشتار از خازن‌هاي موجود بين گيت و سورس ترانزيستورهاي ماسفت براي راندن ترانزيستورهاي دو قطبي استفاده شده است. خاصيت خازني فوق، سرعت مدار را نسبت به مدارهاي مشابه افزايش داده و جريان ايستاي بسيار كمي را تحميل مي‌كند. افزون بر اين، در طراحي ارايه شده با كاهش چشمگير تعداد ترانزيستورها، مساحت تراشه نيز كاهش مي‌يابد.

In this paper regarding the fact that the collector current and therefore Base current are needed for a very short time, in order to drive large capacitive load, using BiCMOS technology, we have used the existing capacitor between source and gate of MOS transistors to do so. This method has increased the speed of the circuit in comparison to its similar circuits, and it needs very low static power dissipation. In this design, remarkable reduction of the number of transistors has lead to a significant improvement in chip area.