بررسي عوامل موثر در جريان تاريك آشكارساز ديودي

بررسي عوامل موثر در جريان تاريك آشكارساز ديودي

اين مقاله گزارشي از محاسبه و اندازه‌گيري جريان‌هاي نشتي فتوديود InSb از نوع p+-n ساخته شده به روش Mesa است. محاسبات و اندازه‌گيري جريان‌هاي مختلف نشتي موثر در ديود InSb همراه با تغييرات آن با توجه به باياس اعمالي نشان مي‌‌دهند كه در باياس‌هاي معكوس نسبتاً كم (تا حدودmV 300) جريان‌هاي G-R و شنت غالب هستند. اما در ولتاژهاي معكوس بالاتر، جريان تونل‌زني غالب مي‌‌شود. در اين مقاله رابطه پارامترهاي قطعه با ميزان جريان نشتي بررسي شده است و با ساخت يك ديود p+-n با كيفيت بالا، به بررسي موارد فوق پرداخته شده است.

This article is a report of calculation and measurements of a p+-n InSb photo-diode leakage current fabricated by mesa on the basis of the calculation and measurement of different leakage currents in InSb photo-diode along with its variation it shows that at relatively low reverse biases (up to about 300 mV) G-R and shunt current are dominant. But at high reverse biases the tunneling current dominates. In this article we investigate the relation between device parameters and rate of leakage currents and investigated this relation by fabricating high quality p+-n diode.