رشد و مشخصه يابي ساختاري و الكتريكي نانو ذرات Si تهيه شده به روش تبخير با باريكه الكتروني

Growth, structural characterization and Electrical Behavior of Silicon Nano Particles prepared by Evaporation Method with Electron Beam

نانو ذرات Siبه روش تبخير با باريكه بر روي زير لايه p-Si(111)در زاوياي °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحي نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گيري و با نمونه زير لايه سيليكان مقايسه شد. نتايج نشان داد به علت افزايش زاويه از °75 به °85 نانو ذرات سيليكان با تخلخل بيشتري شكل مي گيرند در نتيجه نمونه °85 توانايي حمل جريان بيشتر در ولتاژ هاي مشابه از خود نشان مي دهد. اين در حاليست كه مساحت سطحي و در نتيجه مقاومت سطحي نمونه °75 به مراتب بزرگتر از °85 و نمونه °85 به مراتب بزرگتراز زير لايه سيليكان مي باشد.مورفولوژي سطحي و تصوير سطح مقطعي فيلمها با استفاده از SEM مورد مطالعه قرار گرفت. نتايج نشان داد كه نمونه با تخلخل بيشتر داراي مقاومت سطحي كمتر مي شود. همچنين مشخصه I-V پيوندگاه nSi/p-Si(111) مورد بررسي قرار گرفت. اين پيوندگاه داراي رفتار غير خطي الكتريكي و ديود گونه مي باشد.

Abstract Silicon nano particles were fabricated at angles, 0, 75 and 85 degrees on p-Si(l 11) wafer by evaporation method with electron beam. Sheet resistance of samples were measured by Van der Pauw method and compared with silicon wafer oneʹs. Results showed that by increasing angle from 75° to 85° silicon nano particles were formed by more porosity therefore 85° sample can carry more current in similar voltages. Mean while surface area and sheet resistivity of 75° sample was more than 85° sample and also 85° sample was more than silicon wafer. Surface morphology and SEM surface picture were studied. Results showed that samples with more porosity had low sheet resistance. Also, I-V characteristic of nSi/p-Si(l 11) junction were reviewed. This junction had non linear electric and diode like behavior.