مطالعه رسانندگي و اختلاف سطح الكتريكي در لايه هاي نازك چند بلوري CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصي انديم

Conductivity and electrical surface difference studies on polycrystalline thin films CuInTe2 and CuInSe2 with excess Indium

مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P ) چند بلوري هستند كه با افزودن درصدي انديم به تركيب عنصري اين مواد، قابليت رسانندگي آنها افزايش مي يابد. با تغيير ضريبهاي هال RH و تحرك هال ، در دماها و ميدانهاي مختلف، دريچه اي در P-CuInTe2 مشاهده شده است. با افزايش دما به بيش ازk 170 و تغيير RH ، فاصله بين سطح دانه ها بيشتر مي شود. با افزودن درصدي انديم به اين لايه ها، ضريب هال در گستره هاي دمايي k 200-77 ثابت مي ماند . در اين مقاله نشان خواهيم داد كه در ماده CuInSe2 -P كه به صورت لايه هايي با تركيب عنصري است، با افزودن انديم به دماي بيش از k 150، فاصله ميان سطح دانه ها بيشتر مي شود. در اين مقاله، مقادير در لايه هاي ياد شده مورد مطالعه قرار گرفته است.

Abstract The Studies of the electrical properties for P-type thin films of CuInTe2 and CuInSe2 polycrystalline with the effect of excess Indium, Showed that conductivity and with the help of Hall coefficient RH and Hall mobility JLIh for different temperature at various gate field. It indicated that in P-CuInTe2, the variation of RH has been increased with temperature to grain boundary which started from 170 k by increasing few percent Indium to the stoichiometric charge. The value of Hall Co-efficient in the range of 77-200 k remained constant. By increasing few percent Indium to P-CuInSe2, the values of RH above 150 k due to increase of grain boundary distance. In this paper, Hall mobility values were studied.