مقايسه ساختار و مورفولوژي لايه هاي نازك Cu بر زير لايه GaAs در روش هاي الكتروانباشت و الكترولس

Comparison of structure and morphology of Cu thin films on GaAs substrate in electrodeposition and electroless methods

در اين تحقيق لايه هاي نازك مس بر زيرلايه ي نيم رساناي گاليوم آرسنايد نوع n به دو روش الكتروانباشت و الكترولس رشد داده شدند. لايه هاي الكتروانباشت شده با مد جريان ثابت از mA 5 تا mA 30 و لايه هاي الكترولس شده در دماهاي مختلف oC 25، oC 77 تهيه شدند. ساختار و ريخت شناسي لايه ها به كمك دستگاه هاي XRD و SEM مورد بررسي قرار گرفت. سپس پارامتر زبري لايه هاي الكتروانباشت شده در جريان هاي مختلف انباشت و هم چنين زبري لايه هاي الكترولس شده در دماهاي مختلف به كمك ميكرسكوپ نيروي اتمي AFM مطالعه و با يكديگر مقايسه مي شوند.

In this research Cu thin films were grown on n-type GaAs by electro and electroless deposition. Some Cu thin films were electrodeposited under constant current mode from 5 to 30 mA and some Cu thin films were grown by electroless at various temperatures from 25 to 77 oC. Their structures and morphology were studied by X-ray diffractometer (XRD) and scanning electron microscope (SEM). Roughness of both series of Cu films was examined by atomic force microscope (AFM).