عنوان مقاله :
معرفي يك ترانزيستور دوقطبي جديد بر اساس وارونگي سطحي
عنوان فرعي :
Introducing Bipolar Junction Transistor Based on Concept of Surface Inversion
پديد آورندگان :
ظهيري، زينب نويسنده مربي- دانشگاه آزاد اسلامي، واحد آباده، گروه مهندسي برق، آباده، ايران Zahiri, Zeinab , حسيني، سيد ابراهيم نويسنده دانشگاه آزاد اسلامي واحد علوم و تحقيقات فارس (نويسنده مسئول) Hosseini, S.E. , كبيريان دهكردي، بهنام نويسنده كارشناسي ارشد- دانشكده مهندسي - دانشگاه حكيم سبزواري - سبزوار- ايران Kabirian Dehkordi, Behnam
اطلاعات موجودي :
فصلنامه سال 1393 شماره 0
كليدواژه :
وارونگي سطحي , شبيه سازي عددي دو بعدي , بهره جريان بالا , ترانزيستور دوقطبي
چكيده فارسي :
در اين مقاله يك ساختار جديد ترانزيستور دو قطبي بر اساس وارونگي سطحي ارايه مي شود. در اين ساختار پيوند كلكتور-بيس يك پيوند متداول p-n است، اما ناخالصي اميتر حذف شده است. به عبارت ديگر ترانزيستور فقط با استفاده از دو ناحيه n و p طراحي شده است. با اتصال فلز با تابع كار مناسب به نيمه هادي نوع p، ناحيه n+ اميتر توسط وارونگي سطحي در داخل ناحيه بيس تشكيل مي شود. شبيه سازي نشان مي دهد ترانزيستور ارايه شده بهره جريان قابل توجه و فركانس قطع بسيار بالايي دارد.
چكيده لاتين :
In this paper, we report a new structure for bipolar junction transistors based on concept of surface inversion. This structure is made up of only one PN junction and a metal with appropriate work function connected to the p region which results in an inversion of electrons in the semiconductor near the metal-semiconductor interface, this inversion layer plays the role of emitter n+ region. Simulations show that the proposed transistor has a very high current gain and cutoff frequency.
عنوان نشريه :
مجله انجمن مهندسين برق و الكترونيك ايران
عنوان نشريه :
مجله انجمن مهندسين برق و الكترونيك ايران
اطلاعات موجودي :
فصلنامه با شماره پیاپی 0 سال 1393
كلمات كليدي :
#تست#آزمون###امتحان
