مدل‌سازي وارون و تفسير دو‌بُعدي داده‌‌هاي نيم‌رخ‌‌زني آرايه الكترومغناطيسي (EMAP)

2D Inversion and interpretation of electromagnetic array profiling (EMAP) data

روش نيم‌رخ‌‌زني آرايه الكترومغناطيسي (Electromagnetic Array Profiling) ياEMAP يك حالت خاص از اندازه‌گيري‌‌هاي ميدان مگنتوتلوريك (Magnetotelluric: MT) محسوب مي‌‌‌شود. در اين تحقيق داده‌‌هاي نيم‌رخ‌‌زني آرايه الكترومغناطيسي منطقه اكلاهوماي آمريكا شامل 93 دوقطبي الكتريكي مورد بررسي قرار گرفته است. ابتدا پردازش داده‌‌ها و حذف داده‌‌هاي نامناسب از نظر ميزان نوفه و جداسازي محدوده مناسب بسامد براي مدل‌سازي داده‌‌ها صورت گرفته است. سپس با اجراي طرح‌واره‌‌هاي وارون‌سازي دو‌بُعدي گراديان مزدوج غيرخطي (NLCG) و اكام (Occam) روي اين داده‌‌ها مدل‌‌هاي وارون براي تفسير ساختار‌‌هاي زمين‌شناسي منطقه عرضه شده است. همچنين داده‌‌هاي چهار سونداژ مگنتوتلوريك (زمين‌مغناط‌برقي) با پنج مولفه مرسوم روي يك نيم‌رخ‌‌ عمود بر امتداد برداشت داده‌‌هاي نيم‌رخ‌‌زني آرايه الكترومغناطيسي نيز مورد بررسي قرار گرفته است و نتايج وارون‌سازي اين داده‌‌ها نيز در تفسير ساختار‌‌هاي زمين‌شناسي منطقه استفاده شده است. نتايج نشان مي‌‌‌دهد كه پردازش داده‌‌هاي اوليه و كنترل پارامتر‌‌هاي وارون‌سازي از جمله طراحي شبكه مناسب براي مدل‌سازي، مدل شروع، ضريب لاگرانژ و مقدار نبود برازش هدف براي توليد يك مدل مناسب بسيار موثر هستند و لذا با كنترل اين پارامتر‌‌ها توانايي طرح‌واره‌‌هاي گراديان مزدوج غيرخطي و اكام در مقايسه با ساير روش‌‌هاي مدل‌سازي وارون مشخص شده است. همچنين توانايي داده‌‌هاي نيم‌رخ‌‌زني آرايه الكترومغناطيسي در به‌دست آوردن توزيع مقاومت ويژه رسوبات زيرسطحي مشخص شده است.