بررسي مُدهاي فونون‌هاي اپتيكي

به كمكِ تقريبِ دي الكتريكِ پيوسته، مدهاي فونون‌هاي اپتيكي حاصل از فصلِ مشتركِ يك سيمِ كوانتومي استوانه‌اي از جنس GaAs در يك محيطِ نيمه رساناي قطبي GaxAl1-xAs بررسي شده است. نتايج به دست آمده دو شاخه متفاوت (SO1, SO2) از مدهاي فونوني سطحي را نشان مي‌دهند. با افزايشِ بردارِ موج ( )، بسامدِ هر يك از مدهاي فونوني به بسامدِ يك ساختارِ صفحه اي تخت نا متجانس همگرا مي‌شود.

In the framework of continuum dielectric approximation, the surface optical (SO) phonon modes of a quantum wire of GaAs imbedded in a polar semiconductor GaxAl1-xAs have been investigated. Two branches of SO phonon modes were derived (SO1, SO2).When the wave vector, ( ), increases, the frequency of each SO modesis converged to the frequency of the single planar heterostructure.