رسانش الكتروني يك مولكول خطي سه اتمي در دماي غير صفر

Electronic conductance of a linear triatomic molecule at nonzero temperatures

در اين مقاله رسانش الكتروني مولكول خطي سه اتمي كه بين دو هادي نيمه نامتناهي ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرين در رهيافت تنگ‌بست، به‌دست مي‌آيد. با در نظر گرفتن اثر برهم‌كنش الكترون-فونون و تغييرات دما در رژيم بي‌دررو، رسانش الكتروني سامانه مركزي بررسي مي‌شود. نتايج نشان مي‌دهد كه با افزايش قدرت برهم‌كنش الكترون-فونون ميزان پراكندگي الكتروني در اثر برخورد با اتم‌هاي مرتعش افزايش يافته و ضريب عبور براي همه انرژي‌ها به‌جز در لبه‌هاي نوار انرژي كاهش مي‌يابد. همچنين با كاهش دما ارتعاشات اتمي كمتر و پراكندگي الكتروني در اثر برخورد با اين اتم‌ها نيز كمتر مي‌شود و بنابراين رسانش الكتروني افزايش مي‌يابد.

In this paper, we obtain electronic transport of a linear triatomic molecule which is located between two semi-infinite simple leads by using the standard Greenʹs function at the tight binding approach. Also, we investigate the effect of electron–phonon interaction and temperature on electronic transport of molecule in the adiabatic regime. The results show that by increasing the strength of e-ph interaction, the rate of the electron scattering increases due to the vibration of atoms so the transmission coefficient decreases for all energies except the edges of the energy band. Also, by decreasing the temperature and reducing in atomic vibration, electron scattering declines, then while electron conductance increases.