تحليل و بهبود جريان حالت خاموش نانو ماسفت كرنشي دومحوره سيليكاني نوع p با كنترل چگالي ناخالصي زيرلايه مجازي

Analysis and Improvement of Off-state Current in Biaxially Strained Si Nano p-MOSFET by Virtual Substrate’s Doping Control

در ماسفت كرنشي دومحوره نوع p سيليكاني، وجود كانال پارازيتي موازي كانال اصلي، با افزايش جريان حالت خاموش، عملكرد ماسفت را با مشكل مواجه مي كند. در اين مقاله، روشي براي حذف اين كانال پارازيتي و بهبود جريان حالت خاموش، با كنترل چگالي ناخالصي زيرلايه مجازي ارايه مي شود و سپس بوسيله ي شبيه ساز، نتايج بررسي مي گردد. نتايج شبيه سازي نشان مي-دهد با افزايش دوپينگ بستر مجازي تا مقدار ، ضمن تشكيل كانال با موبيليتي موثر بالا، جريان حالت خاموش تا بيش از 4-10 برابر كاهش مي يابد. اين روش در طول كانال هاي مختلف موثر بوده و همچنين باعث بهبود مقاومت خروجي ماسفت مي گردد.

In biaxially strained p-MOSFET with Si channel, formation of a parasitic parallel channel due to misalignment of energy bands degrades device performance by increasing off-state current. In this paper a new approach has been introduced to eliminate this parasitic channel by increasing the dopant concentration of virtual substrate up to . Using simulation the impact of this method on the parasitic channel has been investigated. According to simulation results, increasing virtual substrateʹs doping not only provides a high mobility channel but also significantly reduces off-state current more than four orders of magnitude. This method is effective in various channel length and also increases output resistance of the MOSFET.