ترابرد در ديودهاي تونل زني تشديدي نقطه كوانتومي

Transport in quantum dots resonant tunneling diodes

در اين مقاله با استفاده از رهيافت تابع گرين، يك ديود تونل زني تشديدي را شبيه سازي نموده ايم. از نتايج محاسبات بر روي اين ديودها مي توان در محاسبه جريان تاريك سلول هاي خورشيدي استفاده نمود. براي اين منظور ابتدا هاميلتوني دستگاه را در تقريب تنگابست نوشته و تابع گرين را براي آن محاسبه كرديم. سپس با استفاده از مولفه هاي تابع گرين محاسبه شده، چگالي موضعي حالت ها و چگالي جريان را به دست آورديم. نتايج نشان مي دهند به دليل وجود يك ميدان الكتريكي طولي، چگالي محلي حالت ها متناسب با پتانسيل اعمال شده تغيير مي كند. مشخصه جريان- ولتاژ دستگاه نيز نشان دهنده وجود رفتار غير اهمي در دستگاه ديود تونل زني تشديدي است. همچنين با وارد نمودن نقاط كوانتومي، مقاومت ديفرانسيلي منفي قابل مشاهده است. اين مقاومت ناشي از پديده تونل زني تشديدي است.

In this paper، we simulate a resonant tunneling diode (RTD). Using Green's function method for the tight-binding approximation، we calculate local density of states and current-voltage characteristic by the Green function components of the system. Results show a non-Ohmic behavior and negative differential resistance in RTD. As a result of a longitudinal electric field، the local density of states varies by changing the applied potential. Moreover، we study the effect of changing the physical parameters on the current of the device. Entering quantum dots in the middle of device causes a negative differential resistance، which is a consequence of resonant tunneling phenomenon.